GaN Systems, un productor de semiconductores de energía de nitruro de galio, ha asegurado una ronda de financiación de capital de crecimiento de $ 150 millones de dólares ($ 189,7 millones de dólares canadienses).
La compañía tiene la intención de utilizar los fondos para acelerar la innovación y la adopción de su tecnología en los mercados automotriz, de consumo, industrial y empresarial.
GaN planea utilizar el capital para acelerar la adopción de su tecnología en los mercados automotriz, de consumo, industrial y empresarial.
Fidelity lideró la ronda con Vitesco Technologies, BMW i Ventures y otros inversores no revelados. No se reveló la fecha de cierre de la ronda.
Gan dijo que la inversión ayudará a impulsar su rápida penetración en el mercado a medida que las compañías globales de electrónica de potencia cambien de dispositivos de silicio heredados a sistemas de energía pequeños, de bajo costo y eficientes.
Jim Witham, director ejecutivo de GaN, calificó la transacción de un cambio de juego. “La demanda de electrónica de potencia más eficiente y de mayor rendimiento está creciendo exponencialmente, y las soluciones de silicio tradicionales no pueden mantenerse al día. El nitruro de galio toma el testigo del silicio heredado para permitir que las plataformas más pequeñas funcionen a menor temperatura y utilicen menos materiales ”, dijo Witham.
La compañía también anunció una asociación estratégica con Vitesco que verá las soluciones de GaN utilizadas en la plataforma EV de Vitesco.
GaN también se asoció con BMW Group en septiembre para proporcionar transistores de potencia de grado automotriz que aumentan la eficiencia en los vehículos eléctricos.
La compañía afirma que sus semiconductores de potencia son un ingrediente clave para lograr el tamaño pequeño, el peso ligero y la alta eficiencia requeridos en la próxima generación de vehículos eléctricos de alto rendimiento. Según los términos del acuerdo con BMW, GaN proporciona capacidad para múltiples aplicaciones en la producción en serie.
La relación de BMW con GaN comenzó hace más de cuatro años cuando los ingenieros de BMW descubrieron que GaN habilitaba cargadores a bordo de tamaño pequeño, ligeros y de bajo costo, convertidores CC / CC e inversores de tracción. Esto llevó a una inversión de la firma de capital de riesgo de BMW, BMW I Ventures, para respaldar y acelerar la tecnología relacionada con la automoción de GaN.
BMW Ventures no reveló su inversión en GaN en 2017, aunque las fuentes en ese momento le dijeron a BetaKit que creían que era más de $ 40 millones.
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Las empresas globales, incluidos los líderes de la industria como Dell, Samsung, HARMAN, Siemens, Signify y Philips, confían en los transistores de GaN Systems para reducir las emisiones de CO2 y aumentar la utilidad y la eficiencia energética de sus sistemas de energía.
Con solo un pequeño cambio en el diseño de la electrónica, GaN Systems afirma que sus transistores permiten a los ingenieros de diseño reducir significativamente el tamaño, el peso y la potencia perdida en 4 veces, al tiempo que reducen los costos generales del sistema.
Los semiconductores de GaN también se han abierto camino en al menos una empresa canadiense de autotecnología.
La empresa de tecnología de motores FTEX, con sede en Montreal, recaudó 485.000 dólares en una ronda de financiación SAFE previa a la inicialización en octubre para sus sistemas de tren motriz para vehículos eléctricos. Su solución combina transmisiones basadas en GaN con sistemas de transmisión basados en software.
FTEX se asoció con GaN en julio pasado para desarrollar accionamientos de motor impulsados por GaN para vehículos eléctricos. En su anuncio, FTEX explicó que las unidades de motor combinarán los transistores de GaN Systems con los productos de FTEX para aumentar el rango y la potencia de los vehículos eléctricos hasta en un 30 por ciento.
Imagen destacada cortesía de GaN Systems
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