Investigadores del Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT) han desarrollado un nuevo tipo de transistor 3D que puede funcionar a un voltaje eléctrico significativamente más bajo que las soluciones tradicionales de silicio. La tecnología se basa en el uso de materiales semiconductores ultrafinos y puede que en el futuro se convierta en la base para la producción de productos electrónicos más potentes y económicos, desde teléfonos inteligentes hasta automóviles.
Fuente de la imagen: mit.edu
Los transistores de silicio, utilizados para amplificar y conmutar señales, son un componente crítico de la mayoría de los dispositivos electrónicos utilizados tanto en aplicaciones domésticas como industriales. Sin embargo, el desarrollo de la tecnología de semiconductores de silicio está limitado por las leyes de la física, que no permiten que los transistores funcionen por debajo de un determinado voltaje. explicar científicos.
Esta limitación, conocida como la “tiranía de Boltzmann”, dificulta mejorar la eficiencia energética de las computadoras y otros dispositivos electrónicos, especialmente porque las tecnologías de inteligencia artificial evolucionan rápidamente y requieren grandes cálculos.
En un esfuerzo por superar este límite fundamental del silicio, investigadores del MIT han desarrollado un nuevo tipo de transistor 3D utilizando un conjunto único de materiales semiconductores ultrafinos. Estos dispositivos, equipados con nanocables verticales de sólo unos pocos nanómetros de ancho, pueden proporcionar un rendimiento comparable al de los transistores de silicio modernos y, al mismo tiempo, funcionar de manera eficiente a niveles de voltaje mucho más bajos.
La tecnología utiliza las propiedades de la mecánica cuántica y el tamaño extremadamente pequeño de los transistores permitirá colocarlos en un chip de computadora en mayores cantidades, lo que, a su vez, conducirá a la creación de una electrónica rápida, potente y energéticamente eficiente. “Esta tecnología tiene potencial para sustituir al silicio, por lo que se puede utilizar para todas las funciones que tiene el silicio actualmente, pero con mucha mayor eficiencia energética.” señala Yanjie Shao, investigador del MIT y autor principal artículos.
Según otro autor de este trabajo, el profesor Jesús del Álamo, es imposible avanzar más allá de un determinado nivel utilizando la física tradicional, pero el trabajo de Yanjie Shao demuestra que es muy posible lograr más, pero para ello es necesario utilizar una física diferente. “Por supuesto, todavía quedan muchos desafíos por superar para que este enfoque sea comercialmente viable en el futuro, pero conceptualmente es realmente un gran avance.“, añadió.
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2024-11-05 22:08:00
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