Samsung comenzará la producción de chips de memoria flash de 300 capas el próximo año

DigiTimes, citando al Seoul Economic Daily, informa que Samsung Electronics estará listo para comenzar la producción en masa de su memoria flash 3D de doble pila de novena generación el próximo año. En comparación, los chips 3D NAND de 321 capas de SK hynix, cuya producción en masa está programada para la primera mitad de 2025, utilizan una arquitectura de triple pila.

Los chips 3D V-NAND de Samsung de novena generación con más de 300 capas se producirán utilizando el método de doble apilamiento que Samsung introdujo en 2020 con sus chips 3D NAND de 176 capas de séptima generación. El método consiste en crear una sola pila 3D NAND en una oblea de silicio con un diámetro de 300 mm y luego colocar una segunda pila encima de la primera. Basados ​​en chips de memoria flash de alta densidad con más de 300 capas, los fabricantes podrán crear unidades de estado sólido de bajo costo o reducir el costo de los SSD que ya están en el mercado.

En cuanto al mismo SK hynix, la empresa anteriormente planes anunciados comenzará la producción de memoria 3D NAND de 321 capas en 2025 utilizando una arquitectura de tres pilas. La producción de estos chips difiere del método de Samsung e implica la conexión de tres conjuntos separados de capas. Por un lado, la producción de dicha memoria requerirá más pasos y requerirá más materiales que un competidor, pero este enfoque pretende aumentar el nivel de rendimiento de los chips adecuados, ya que es más fácil producir pilas de memoria flash con menos capas.

Las filtraciones de la hoja de ruta de Samsung sugieren que la compañía, una vez que se complete el ciclo de producción 3D NAND de novena generación, puede usar el método de triple pila para lanzar chips 3D NAND de 430 capas de décima generación. Algunos expertos en una conversación con el Seoul Economic Daily sugirieron que la producción de chips de memoria flash 3D NAND con más de 400 capas requeriría una arquitectura de triple pila debido a posibles problemas con el rendimiento del chip. Por supuesto, esto aumentará el volumen de materias primas utilizadas y otros costos por placa.

En 2022, Samsung dijo que espera poder producir chips de memoria flash de 1000 capas para 2030.