Samsung hablará sobre transistores GAA de tercera generación para chips de 2 nm en junio

Samsung está desarrollando una nueva generación de transistores GAA (Gate-all-Around) que se utilizarán en chips producidos con su tecnología de proceso de 2 nm. La empresa planea introducir la tecnología el próximo año. Así lo informó la publicación surcoreana Business Korea, citando sus fuentes en la industria.

Citando sus fuentes, la publicación también señala que Samsung presentará un informe sobre la tercera generación de la tecnología GAA para su tecnología de proceso de 2 nm (SF2) en el marco de la conferencia sobre tecnología de semiconductores VLSI Symposium 2024, que se celebrará en Hawaii a partir de junio. 16 a 20.

La tecnología GAA, que fue la primera en el mundo comercializada por Samsung, es una tecnología para producir transistores con una puerta que rodea completamente el canal. Dado que con cada transición a un nuevo proceso tecnológico los transistores del semiconductor se vuelven más pequeños, resulta cada vez más difícil controlar el flujo de corriente en ellos. Sin embargo, GAA ofrece una arquitectura de transistores completamente nueva que mejora su eficiencia energética.

Actualmente, Samsung es la única empresa del mundo que puede producir en masa tecnología de transistores GAA para la producción de chips. Comenzó a investigar GAA a principios de la década de 2000 y lo implementó por primera vez para su proceso de 3 nm en 2022. Sin embargo, debido a la inestabilidad económica global, los altos costos de producción y una base de clientes limitada en sectores como el de los dispositivos móviles, la demanda del proceso de 3 nm de Samsung ha demostrado ser insignificante. Como resultado, el liderazgo en la fabricación de chips de 3 nm ha pasado al fabricante taiwanés de chips TSMC, que utiliza métodos de fabricación de transistores más tradicionales (y más baratos).

En respuesta, Samsung está preparando una segunda generación de transistores GAA para el proceso de 3 nm, que planea presentar a finales de este año. Y el año que viene, la empresa presentará la tercera generación de GAA para la tecnología de proceso de 2 nm para consolidar su liderazgo en esta dirección. TSMC e Intel también planean cambiar eventualmente a la tecnología GAA con la transición a un proceso de fabricación de 2 nm, pero esto sucederá más tarde que Samsung. Así, la empresa surcoreana tendrá cierta ventaja sobre sus competidores. Al menos en teoría.

El nombre oficial de la tecnología GAA de Samsung es MBCFET. En comparación con la generación anterior de FinFET de Samsung, la primera generación de GAA de 3 nm proporcionó un aumento del 23 por ciento en el rendimiento, un aumento del 16 por ciento en la densidad y un aumento del 45 por ciento en la eficiencia energética. Se espera que la segunda generación de GAA para tecnología de proceso de 3 nm proporcione un aumento del 30 por ciento en el rendimiento, un aumento del 35 por ciento en la densidad y una reducción del 50 por ciento en el consumo de energía. En cuanto a la tercera generación de MBCFET, también se espera que mejore significativamente el rendimiento con un aumento de más del 50% en la eficiencia energética en comparación con la generación anterior de tecnología.