SK hynix logró reducir los defectos durante el lanzamiento de HBM3E a un modesto 20%

La producción de chips HBM requiere una gran cantidad de obleas de silicio, no sólo por la gran superficie total de los cristales, sino también por el nivel bastante alto de defectos. Si históricamente el rendimiento de cristales utilizables durante la producción de HBM no superaba el 40-60%, SK hynix logró elevar la cifra al 80%.

Sobre esto en una entrevista. Tiempos financieros dijo el director de gestión de calidad de SK hynix, Kwon Jae-soon. Al mismo tiempo, la empresa logró reducir el tiempo del ciclo de producción del HBM3E en un 50 %. Hasta ahora se creía que el nivel de rendimiento de los productos HBM3E adecuados en la producción de SK hynix no superaba el 60-70%, pero se consideraba un indicador muy decente. La tasa declarada del 80% supera estas expectativas y demuestra el éxito de SK hynix en la optimización de sus procesos de producción.

En 2025, SK hynix espera dominar la producción en masa de la memoria HBM4 en una versión de 12 niveles; su socio en este ámbito es el taiwanés TSMC. Su competidor Samsung espera lanzar la producción de esta generación de memoria recién en 2026. En ese momento, SK hynix ya comenzará a lanzar pilas HBM4 de 16 niveles.

Al mencionar los planes de Samsung de comenzar a suministrar pilas HBM3E de 12 niveles en la actual mitad del año, un representante de SK hynix señaló que los clientes de la compañía tienen actualmente la mayor demanda de pilas HBM3E de 8 niveles, razón por la cual la compañía se está centrando actualmente en su producción. La propia SK hynix comenzará a enviar pilas HBM3E de 12 niveles en el tercer trimestre.