La semana pasada, los representantes de TSMC anunciaron que a finales de este año la compañía comenzaría la producción en masa de chips utilizando tecnología N3P, y esto llevó al personal de recursos de AnandTech a resumir toda la información disponible sobre los planes inmediatos de la compañía en una tabla. En 2025 y 2026, TSMC pretende introducir cuatro nuevos procesos tecnológicos.
El desarrollo de los procesos técnicos N3X y N2 está previsto para inmediatamente el próximo año, concentrándose estos eventos en el segundo semestre de 2025 si todo va según lo previsto. Hasta cierto punto, las tecnologías N3X y N2 competirán entre sí por las preferencias de los clientes de TSMC. El primero debería reducir el consumo de energía en un 7% en relación con N3P, lo que se logrará en el segundo semestre de este año. La velocidad de conmutación de los transistores aumentará en un 5% a un voltaje de 1,2 V con la misma densidad de transistores, y esta última cifra aumentará 1,1 veces a una frecuencia de reloj constante.
La tecnología de proceso N2 promete reducir el consumo de energía entre un 25% y un 30% en relación con el N3E, que ha estado en producción desde el cuarto trimestre del año pasado. Al mismo tiempo, la velocidad de conmutación de los transistores aumentará entre un 10% y un 15% y su densidad de colocación aumentará 1,15 veces. El mismo aumento de densidad lo proporcionará el proceso técnico N2P en relación con N3E, que se dominará en la segunda mitad de 2026, pero la ganancia en el consumo de energía aumentará al 30-40%, mientras que aumentará la velocidad de conmutación de los transistores. entre un 15% y un 20%. En otras palabras, una comparación directa de N2 y N2P proporcionará un beneficio no tan notable en el consumo de energía (5–10%) y el rendimiento (5–10%), y la densidad del transistor permanecerá sin cambios.
Como parte de la tecnología de proceso N2, TSMC presentará por primera vez la estructura de transistor envolvente de puerta de nanohojas (GAA). Esto debería mejorar significativamente el rendimiento, reducir el consumo de energía y aumentar la densidad de los transistores. La tecnología de proceso N3X de la competencia puede superar al N2, especialmente a voltajes más altos. ¿A cuál de los clientes de TSMC le puede gustar más la tecnología N3X debido a la falta de cambios en la estructura de los transistores (FinFET), lo que debería tener un efecto beneficioso en la tasa de defectos?
TSMC planea desarrollar los procesos tecnológicos N2P y A16 para 2026. Este último será una versión del N2 orientada al rendimiento, mientras que este último ofrecerá características de rendimiento de 1,6 nm combinadas con una fuente de alimentación en el reverso. N2P puede ofrecer una reducción del 5 al 10 % en el consumo de energía manteniendo el mismo rendimiento, o un rendimiento proporcionalmente mayor manteniendo el mismo consumo de energía en comparación con el N2 base.
La tecnología de proceso A16 está lista para ofrecer una reducción del 20 % en el consumo de energía en relación con N2P, o un aumento del 10 % en el rendimiento con los mismos niveles de consumo de energía. La densidad de colocación de los transistores A16 aumentará en un 10% en relación con N2P. En los chips orientados al alto rendimiento, la tecnología de proceso A16 mostrará su mejor cara, pero la fuente de alimentación desde el reverso de la oblea de silicio encarecerá bastante su producción.
2024-05-24 07:12:37
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