Los científicos han creado una memoria no volátil que no se deteriora cuando se calienta a 600 grados.

Para ampliar los límites de las capacidades de la microelectrónica y satisfacer las crecientes demandas de la humanidad, se necesitan nuevos componentes que puedan funcionar tanto a temperaturas extremadamente bajas como a temperaturas extremadamente altas. En el primer caso, se abre la posibilidad de combinar ordenadores clásicos y plataformas cuánticas. En el segundo, existe la posibilidad de trabajar en profundidades extremas, en hipersonidos y en el espacio, por ejemplo, en sistemas de control de motores de cohetes. Y esto es importante.

Un grupo de científicos de la Universidad de Pensilvania publicó en la revista Electrónica de la naturaleza artículodonde reportado sobre el desarrollo y creación de un prototipo de memoria ferroeléctrica no volátil (ferrodiodo), capaz de funcionar calentada a 600 °C durante 60 horas seguidas.

Esta memoria es importante para combinarla con componentes electrónicos basados ​​en carburo de silicio, que en teoría también pueden soportar temperaturas de funcionamiento de hasta 600 °C inclusive. El límite de funcionamiento teórico de la electrónica de silicio es de 125 °C. La lógica del carburo de silicio combinada con la memoria de diodo ferroeléctrico recientemente introducida permitirá crear plataformas informáticas de rendimiento relativamente alto e incluso plataformas con IA para bajar equipos a una profundidad de 100 km debajo de la superficie de la tierra o para trabajar en la superficie de la misma Venus.

El prototipo de memoria ferroeléctrica no volátil de 45 nm creado en la Universidad de Pensilvania es un compuesto sintetizado AIScN (10,68Sc0,32N). La celda de memoria experimental se probó en el laboratorio cuando se calentó a 600 °C y permaneció operativa con un voltaje de suministro inferior a 15 V (guardó los datos después de eliminar el campo eléctrico externo). Al mismo tiempo, el elemento de memoria demostró un cambio “rápido” entre estados, lo que promete un funcionamiento productivo como parte de futuras soluciones microelectrónicas de alta temperatura.