Samsung anunció que ha comenzado la producción en masa de la memoria flash 3D V-NAND TLC de novena generación con una capacidad de 1 Tbit. Los nuevos chips ofrecen mayor densidad y eficiencia energética en comparación con los chips de memoria 3D V-NAND TLC de octava generación.
Fuente de la imagen: Samsung
El fabricante no especificó el número de capas utilizadas en la memoria 3D V-NAND TLC de novena generación con una capacidad de 1 Tbit, ni el proceso técnico utilizado para su producción. Sin embargo, Samsung señaló que con el tamaño de celda más pequeño de la industria, la densidad de bits de los chips 3D V-NAND TLC de novena generación se ha mejorado en aproximadamente un 50% en comparación con la memoria 3D V-NAND TLC de la generación anterior. El fabricante también informó que los nuevos chips de memoria utilizan tecnología de prevención de interferencias, las celdas tienen una mayor vida útil y la eliminación de agujeros ficticios en los canales conductores ha permitido reducir significativamente el área plana de las celdas de memoria.
La memoria flash 3D V-NAND TLC de novena generación cuenta con la interfaz Toggle 5.1 de próxima generación, que aumenta las velocidades de E/S en un 33 % a 3,2 Gbps por pin. Junto a ello, la compañía ha reducido el consumo energético un 10% respecto a la generación anterior.
En la segunda mitad del año, Samsung planea comenzar la producción de 3D V-NAND de novena generación con una capacidad de 1 Tbit con celdas QLC.
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2024-04-23 15:34:00
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